《射频/微波功率新型器件导论》把握新一代射频/微波功率器件技术路线与发展趋势，重点开展基于双层多晶硅新结构的射频/微波脉冲功率晶体管的研制及其硅化物材料热稳定性关键工艺的研究。
　　定性分析深槽结构的槽深、槽宽以及槽中填充物对器件BC结击穿电压的影响，提出了双深槽终端新结构，能有效提高器件BC结的反向击穿能力。利用步内建模法，创新地提出了基于器件的三维热电耦合模型，比器件的二维热电耦合模型更准确、更清晰地反映实测器件热电成像的结温分布。
　　摸索出在镍中分别以夹层方式掺入少量薄层金属Pt，Mo，W，Zr，Ta来提高镍硅化物热的稳定性，以降低器件发射极、基极的电阻值。运用吉布斯自由能理论给出了关于硅化物NiSi热稳定性得以改善的合理解释。研制了带保护环结构并由上述5种夹层金属形成的NiSi/Si肖特基硅器件。器件良好的I-V电学特性表明，上述5种硅化物是令人满意的互连和接触材料。
　　新结构微波功率器件的电学、热学测试结果表明，该微波功率器件可覆盖全射频段，甚至扩展至微波S波段应用，并为开发硅基LDMOS，AlGaN/GaNHEMT新一代微波功率器件奠定了良好的研究基础。