本书重点讨论了与氮化镓(GaN)器件相关的内容,共分15章,每一章都围绕不同的主题进行论述,涵盖GaN材料、与CMOS工艺兼容的GaN工艺、不同的GaN器件设计、GaN器件的建模、GaN器件的可靠性表征以及GaN器件的应用。本书的特点是每一章都由全球不同的从事GaN研究机构的专家撰写,引用了大量的代表新成果的文献,适合于从事GaN技术研究的科研人员、企业研发人员,以及工程师阅读,也可作为微电子及相关专业的高年级本科生、研究生和教师的参考用书。