本书从CMOS芯片结构技术出发，系统地介绍了微米、亚微米、深亚微米及纳米CMOS制造技术，内容包括单阱CMOS、双阱CMOS、LV/HV兼容CMOS、BiCMOS、LV/HV兼容BiCMOS,以及LV/HV兼容BCD制造技术。除第1章外，全书各章都采用由CMOS芯片主要元器件、制造技术及主要参数所组成的综合表，从芯片结构出发，利用计算机和相应的软件，描绘出芯片制造的各工序剖面结构，从而得到制程剖面结构。书中给出了100余种典型CMOS芯片结构，介绍了各种典型制造技术，并描绘出50余种制程剖面结构。深入地了解芯片制程剖面结构，对于电路设计、芯片制造、成品率提升、产品质量提高及电路失效分析等都是十分重要的。
本书技术含量高，非常实用，可作为芯片设计、制造、测试及可靠性等方面工程技术人员的重要参考资料，也可作为微电子专业高年级本科生的教学用书，还可供信息领域其他专业的学生和相关科研人员、工程技术人员参考。