实验一　四探针法测量电阻率
实验二　扩展电阻法测量硅片微区电阻率变化及其深度分布
实验三　范德堡-霍耳效应实验
实验四　硅单晶杂质补偿度的测量
实验五　MOS电容-电压特性测量
实验六　用准静态技术测量硅-二氧化硅界面态密度分布
实验七　深能级瞬态谱法（DLTS）测定硅中深能级中心
实验八　砷化镓的光致发光（PL）谱
实验九　激光测定硅单晶晶轴
实验十　椭偏法测量薄膜折射率及厚度
实验十一　扫描电子显微镜
实验十二　半导体集成电路的解剖分析
实验十三　扫描电镜X射线能谱分析
实验十四　透射电子显微术
实验十五　傅里叶变换红外光谱法（FTR）测定硅中杂质氧的含量
实验十六　原子吸收光谱分析
实验十七　X射线光电子能谱分析
实验十八　低压化学气相淀积多晶硅
实验十九　用SiH4－NH3淀积氮化硅
实验二十　等离子增强化学气相淀积氧化硅
实验二十一　金属有机化学气相淀积（MOCVD）钛酸铅
实验二十二　多孔硅材料的制备
实验二十三　通用有限元软件ANSYS推焊球应力分析
实验二十四　集成电路CAD基础